为促进半导体材料与器件领域的学术交流，海洋科技学域特邀请新加坡工程院院士袁顺发教授作专题学术讲座，欢迎广大师生参加。

主讲人： 袁顺发 教授（新加坡工程院院士、国家级领军人才、北京理工大学（珠海）教授）

时间： 2026年6月2日 14：30—16:00

地点： 弘毅楼 HF101

主办单位： 北京理工大学（珠海）海洋科技学域

讲座简介

本次报告围绕大晶格失配条件下，不同类型I-V 族半导体异质集成所面临的各类材料科学难题展开探讨。众所周知，实现具备差异化电学与光学特性的晶格失配半导体高效集成，能够为电子、光子功能器件的单片共平台集成开辟全新技术路径。此次将围绕该方向，分析多种半导体缓冲层技术方案，涵盖组分渐变缓冲层，以及基于界面失配过滤机制的超薄缓中层。同时，报告展示利用分子束外延工艺开展的锑化铟、锑铋铟外延生长动力学相关实验成果，并介绍生长参数优化方法，以此将缺陷密度与表面形貌调控至合格水平。

嘉宾简介

袁顺发教授长期任职新加坡顶尖高校:曾任南洋理工大学电气与电子工程学院院长、新加坡国立大学电气与计算机工程系教授、设计与工程学院副院长(工业)等，兼具深厚学术功底与丰富高校管理经验，现牵头海洋科技学域海洋光学带隙工程与光电子系统(BEOS)团队。

袁教授同时担任企业特聘科学家，深耕产学研融合，牵头建成多家校企联合实验室，推动新加坡两所顶尖高校产业合作发展。其研究聚焦半导体技术、光电材料与器件体外延件物理、微电子学等前沿领域领域，主导多项跨国重点科研项目，攻克II-V族/硅异质集成关键技术。至今已发表高水平学术论文600余篇，多次受邀在国际重要会议作特邀报告。长期参与新加坡国家级科研规划与重大项目评审，是跨学科研发与技术成果转化领域的权威专家。