海洋信息与后摩尔芯片研究团队紧扣国家集成电路自主发展战略，服务于大湾区集成电路产业规划，聚焦摩尔定律放缓下的技术瓶颈，立足后摩尔时代 “制程微缩放缓、多维协同创新” 的行业拐点，面向集成电路设计，工艺和装备领域，解决高端芯片设计效率与性能平衡、先进工艺兼容性与良率提升、核心装备国产化等卡脖子及前沿技术问题，攻关先进制程芯片设计方法学、特种工艺集成与优化、高端装备核心部件与系统集成等关键核心技术，研究设计-工艺-装备协同优化的全链条技术体系。

团队扎根珠海，面向珠三角的半导体产业集群，聚焦集成电路设计-工艺-装备全链条技术协同创新，以突破产业卡脖子技术、支撑国家半导体产业自主可控为核心使命，打造集基础研究、关键技术攻关、成果转化与人才培养于一体的高水平科研团队。

团队研究方向

面向三维集成电路的先进制备工艺

面向大规模AI数据处理的存内计算芯片设计

面向先进工艺的清洗、键合关键设备

团队主要成果

1. 针对先进制程晶体管开展精细化电路级建模，充分考虑关键物理机制，结合高效数值求解与仿真架构优化，精准刻画器件电学特性与动态响应规律。在保障高仿真精度的同时，显著降低计算开销、提升收敛速度与运行效率，实现计算效率与建模精度的双重提升，为先进集成电路设计与工艺迭代提供坚实理论与技术支撑。新型晶体管工艺与制备工艺，可有效改善晶体管的性能与可靠性

2. 针对新型晶体管结构与先进微纳制备工艺展开系统研究，通过优化材料体系、调控界面质量与器件几何形貌等方法，显著增强器件电学性能与长期工作可靠性，为高性能、高可靠集成电路与先进芯片研制提供关键技术支撑

3. 围绕三维堆叠型 CFET 晶体管开展存储与计算一体化特性研究，通过垂直集成 NMOS 与 PMOS 器件，优化沟道调控、互连结构与寄生参数，提出低功耗、高密度器件架构，显著提升集成密度、降低能耗与延迟，为先进存算一体芯片与下一代集成电路提供核心器件支撑

4.“原子级二维半导体的界面：理论与处理方法”荣获中国电子学会科学技术奖，自然科学二等奖。